SIJ438ADP-T1-GE3 MOSFET
发布时间: 2020/5/25 16:14:38 | 244 次阅读
MOSFET SIJ438ADP-T1-GE3规格:
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:40 V
Id-连续漏极电流:45.3 A
Rds On-漏源导通电阻:1.35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V, - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V
Qg-栅极电荷:162 nC
工作温度:- 55 C
工作温度:+ 150 C
SIJ438ADP-T1-GE3外观:

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